近日，据国外媒体报道，半导体领域的三大领军机构——德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）、半导体设备制造商PVA TePla AG与全球半导体硅片巨头世创电子材料公司（Siltronic AG, FWB:WAF）近日宣布开展一项开创性合作项目，以整合各自在晶体生长领域的技术专长，致力于实现氮化铝（AlN）晶体生长的规模化量产。
该项目致力于实现4英寸AlN单晶衬底的规模化生产，为满足高功率电子器件和紫外光电子领域日益增长的应用需求提供关键材料支撑。通过攻克将AlN晶体直径从2英寸扩大至4英寸的关键技术，项目团队着力破解该战略性材料从实验室小试到工业化量产的核心转化难题。
IKZ在AlN晶体生长领域深耕30多年，为该项目带来了其在AlN晶体生长领域长期积累的专业技术，并拥有已验证的2英寸AlN晶体生长平台。另一合作方世创电子材料（Siltronic）作为全球领先的半导体硅晶圆制造商（同时采用直拉法Czochralski和区熔法Float Zone两种工艺），贡献了其在功率电子器件衬底研发领域以及精密计量技术方面的丰富经验。
PVA TePla AG在材料与计量领域提供专业解决方案，拥有数十年晶体生长系统制造经验。凭借其在物理气相传输法（PVT）——尤其是碳化硅（SiC）市场——的深厚技术积淀，PVA TePla AG为AlN单晶生长工艺提供专用设备。
"将AlN晶体尺寸从2英寸提升至4英寸，是实现该材料规模化量产的关键突破，"项目合作方表示，"依托三方技术协同优势，我们能成功攻克产业化进程中的核心技术瓶颈。"
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